技术编号：7644142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用来探测放射线等能束的半导体能束探测元件。 背景技术 作为该种半导体能束探测元件，例如人们知道在特开平5-150049号公报中公开的那种元件。在该特开平5-150049号公报中公开的半导体能束探测元件，具有N型硅晶片，在该硅晶片的表面上形成多个沟部，使之位于各个沟部的底部那样地形成P型扩散层。然后，在硅晶片的表面一侧形成由铝等的金属形成的电极，并电连到P型扩散层的一部分上。在背面一侧在整个面上形成由铝等的金属构成的电极。此外，使得插入到每个沟部内...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。