技术编号：7787283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种快速获取硅片光致发光影像的Si-CCD照相机，通过帕尔帖制冷元件将Si-CCD感光器件降温到至少低于-20摄氏度，降低其本底噪声的强度，从而缩短了最短有效曝光时间，同时根据Si-CCD的每个像素点亮度和曝光时间的线性关系，可以从一个时间段的电荷累积量推算出更长时间段的电荷累积量，达到快速获取光致发光影像的目的。专利说明快速获取硅片光致发光影像的S1-CCD照相机[0001]本实用新型涉及半导体，特别涉及一种快速获取硅片光致发光影像的S1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。