技术编号：8006569
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及拉制单晶时，加快多晶原料熔化的方法及装置，更具体地说是在拉制硅单晶锗单晶时，加快多晶硅多晶锗熔化法及其单晶炉底部安装的发热体。直拉硅单晶在制造时大致分为这么几个阶段装多晶料、抽空、多晶硅熔化、颈及肩的生长、等直径生长、尾部晶体的生长、晶体冷却，其中大部分过程是吸热过程，也就是说要外部供给热量。单晶炉中一般有一个发热体(石墨制)，在其两端通上直流电，产生热量。发热体处在吸热体的外面，也就是说，热量是由外向内传导(径向)。随着硅单晶直径的加大(Φ200mm，Φ300mm，Φ300mm以上)，单晶炉热场...
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