技术编号：8007914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种超长杆状ZnO单晶材料及其制备方法，具体涉及一种长度是 厘米级的ZnO杆状结构的制备所用的热蒸发方法，属于半导体光电子材料与器件 的制备技术领域。技术背景ZnO是一种宽禁带半导体，并且具有较大的激子束缚能，在光电子器件中有 很大的应用前景，因此引起了全世界范围的广泛关注。人们利用各种方法(溶液 法，分子束外延，脉冲激光沉积，金属有机物化学气相沉积等)制备出了不同的 Zn0纳米结构，例如纳米线，纳米带，纳米钉，纳米环，纳米弹簧，纳米梳等。 在这些结构中，杆状结构由于其自身的单晶性好缺陷少的特点有...
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