技术编号：8010165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体材料的领域，尤其是多晶硅的生产方法。技术背景从矿石中分离制备多晶硅，再经过拉晶工艺以后可以生产单晶硅，用途十 分广泛，目前在世界范围已经成为大产业。目前世界各国生产多晶硅的主要方法为'西门子法'，即将三氯氢硅在电热 炉中裂解成盐酸、氯气和多晶硅。这种方法的缺点是l，合成三氯氢硅的价格 高，提纯工艺复杂。2，热裂解的效率低，部分三氯氢硅在裂解过程中转换为四 氯化硅，三氯氢硅转换为多晶硅的比例不到50%，每kg三氯氢硅只能得到100g 以下的单体硅。四氯化硅经过分离后，又重新合成三氯氢硅作为原材...
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