技术编号：8010294
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及能用汽相法生长的单晶体，特别是作为χ射线，γ射线探测器的碘化汞单晶体的生长装置。碘化汞(Hg I2)单晶体是Ⅱ－Ⅶ族化合物半导体，常温下呈红色透明的四方晶系晶体。对χ射线、γ射线有较好的阻止本领和极高的灵敏度，是目前制作室温半导体辐射探测器的极好材料。碘化汞单晶体的生长法有溶液法，是将碘化汞原料溶入有机溶剂并置于玻璃容器中进行晶体生长；静态和动态升华法，将原料封于细长的玻璃管内，置于区域炉中进行生长。上述方法都不能长出大晶体，且晶体质量低。76年M.Schieber等人在Vapor Growt...
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