技术编号：8019236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种生长氮化镓(GaN)材料的方法和装置，尤其涉及利用光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓材料的生长方法与装置。以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料(又称GaN基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其1.9-6.2eV连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的最优选材料。1994年底，首次出现了GaN基高亮度蓝光发光二极管(LED)，室温下工作...
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