技术编号：8027877
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体-晶片制造技术领域，具体地说，涉及用于硅 晶片的新的碱性蚀刻溶液、利用所述溶液的碱性蚀刻方法、使用所述 溶液制造硅晶片的方法、和从所述方法获得的硅晶片。背景技术当硅晶片用于集成电路例如IC和LSI，分立半导体元件例如晶 体管和二极管时，由Czochralski方法(CZ方法)或浮区法(FZ方法)获 得的单晶通过使用内径刀片(inner-diameter-blade)刀具或用于斜切边 缘线的线锯切断，在进行磨光工艺(lapping)以用自由磨料颗粒提高主 表面上的平整度后，进行湿法蚀刻以除去通...
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