技术编号：8030679
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于化合物半导体纳米薄膜材料的制备技术，具体涉及。背景技术 氧化锌作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，在透明光电子学、半导体发光等领域有着巨大的潜在应用。氧化锌材料与氮化镓晶格常数比较相近，因此氧化锌可作为一种很好的衬底缓冲层材料，用于生长氮化镓薄膜。然而，氧化锌材料相对于氮化镓材料，更具有优越性。首先氧化锌材料更容易实现单晶生长，其次氧化锌材料具有更大激子结合能。由于氧化锌的宽禁带特性，它在蓝一紫光、绿光、白光发光器件的制备有着广泛的应用。氧化锌材料具有很好的抗高能辐射的能力，因此它在空间技术领域有着...
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