技术编号：8046188
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及太阳能级半导体单晶硅片加工领域，尤其涉及。背景技术在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中，经线锯开方生成的单晶晶砖由于表面粗糙，且线痕严重，不能直接对其进行切片。在对单晶晶砖进行切片之前，需要先对单晶晶砖表面的线痕进行处理，现有技术的单晶晶砖表面线痕的处理方法为使用金钢石磨轮对单晶晶砖表面进行物理法机械研磨处理，以除去单晶晶砖表面的线痕。然而在处理单晶晶砖表面线痕时会在单晶晶砖表面形 成新的损伤层，容易导致切片后单晶硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良，因而使得单晶硅片的边缘不良率较高。发明内容为了解决现有...
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