技术编号:8050656
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种用于产生等离子体的天线单元,更具体地,涉及包括共轴引入部分的天线单元和包括所述天线单元的基板处理装置。背景技术通常,通过在基板上形成薄膜的沉积工艺、利用光敏材料选择性地曝光和遮蔽薄膜的光刻工艺以及选择性地去除薄膜的蚀刻工艺来制造半导体器件、显示器件和太阳能电池。在这些制造工艺中,沉积工艺和蚀刻工艺在使用等离子体的制造装置中在处于最佳真空状态的腔室内执行。在基板处理装置中,反应气体被激发以具有等离子体态并利用等离子体态反应气体执行制造工艺。根据产生等离子体的方法,用于沉积工艺和刻蚀工艺的基板处理...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。