技术编号：8064720
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种坩埚，特别是一种能够提高熔体浓度均勻性的坩埚。 背景技术用于半导体器件的单晶硅，对其电阻率均勻性要求很高。单晶硅在拉制过程中， 影响其电阻率均勻性的因素很多，其一是在多晶硅熔体中加入了一些提高单晶硅能量转化率、电导率等方面性能的杂质，例如硼、镓、碳化硅等，此时拉制成的单晶硅棒中杂质分布是否均勻就影响到其电阻率的均勻性。固体硅棒中的杂质分布直接与熔体中的杂质分布有关，而熔体中杂质分布是否均勻，一方面与搅拌有关，另一方面与单晶生长过程中的分凝过程有关，随着拉晶过程的不断进行，坩埚内的熔融硅不断...
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