技术编号：8076087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及，该方法包括下列步骤A、将平铺在坩埚底部的硅块料部分溶化，余少部分作为长晶用，降温至硅溶点以下，开始长晶；B、长晶初期，长晶速度控制在0.4-0.8mm/h，时间持续3-4h；C、长晶过渡期，长晶速度控制在0.8-1.2mm/h，时间持续在4-6h；D、长晶稳定期，长晶速度控制在1.0-1.4mm/h，时间持续20-24h；E、长晶收尾期，长晶速度控制在0.8-1.0mm/h，时间持续6-8h。采用本发明，控制过程增加了长晶过渡期，长晶速度由慢至快，再由快至慢，使长晶处于相对均衡状态，能减少长晶中...
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