技术编号：8092797
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要。该方法对太阳电池的单晶硅片实行两步制绒的工艺，在硅片表面形成3-10μm的圆滑金字塔结构、去除了硅片表面的金属离子残留，实现了形貌以及电学特性的修饰。该方法可以有效的降低硅片表面在400-1200nm波长范围内的反射率，提高了电池输出特性，且其制备方法简单，易于实施。专利说明 [0001]技术领域[0002]本发明涉及硅异质结太阳电池的制造领域，特别涉及一种硅异质结太阳电池表面制绒制备方法及其应用。背景技术[0003]光伏发电是国际公认的解决能源缺乏与环境污染问题的有效途径之一。硅异质结太阳电池因其转换效...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。