技术编号：8093979
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种4H-SiC衬底上的同质外延方法，所述方法包括将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；通入H2，进行10分钟的原位刻蚀；将反应室压强降低为40mbar，保持温度和压强恒定，通入42mL/min的SiH4和14mL/min的C3H8，进行2小时的外延生长，获得长有碳化硅外延层的衬底片；当温度降低到700℃，再将反应室抽成真空，并充入Ar，使衬底片在氩气环境下自然冷却到室温。本发明在大幅的提高了外延层的生长速率，很大程度上节约了生产成本，减少了资源的浪费。专利说明4H-S ...
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