技术编号：8119412
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及，属于半导体光电子材料技术领域。 背景技术氧化铟(111203)是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料。与氮化镓(GaN， Eg 3.4eV) 和氧化锌(ZnO， Eg 3.37eV)相比较，氧化铟材料具有更宽的带隙(室温下 3.7eV)，而 且具有制备温度低、物理化学性能稳定等优点，因此氧化铟是制备紫外光电子器件的材料。 以前对氧化铟的研究主要集中在透明导电等方面。目前氧化铟薄膜材料主要用于薄膜太阳 能电池和平面显示等器件的透明电极。当前用常规方法制备氧化铟薄膜存在的问题如下(1 )磁控溅射和反应...
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