技术编号：8120096
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种半导体器件，更具体地说涉及一种新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺。背景技术受目前硅材料价格和硅太阳能电池制备过程及其对发电效率的影响，若要进一步降低硅太阳能电池成本和提高发电效率是相对比较困难的。在通常的情况下，从硅料到太阳能电池的制作过程是通过把多硅锭切成制作太阳能电池的硅片，利用在高温和高浓度磷源的供给下一次完成杂质分布及结深的要求。受磷源和掺杂温度两方面的影响，在石英管内发生化学反应过程中具有复杂的热力学行为，不易控制，均勻性和重复性难以保证，如扩散工艺条件控制不当，磷扩散过程中生成...
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