技术编号：8121009
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体技术领域，涉及 一 种纳米材料 的制备方法，特别是涉及 一 种利用P型掺杂的硅衬底 生长高结晶质量的纳米棒的方法。背景技术一维纳米材料由于小尺寸效应以及表面界面效应 使其展现出独特的光学和电学性能，在紫外发光二极 管，纳米压电材料，场效应晶体管，传感器，探测器， 紫外激光二极管等纳米器件中存在潜在的巨大优势，氧化锌(Zn0 )作为 一 种重要的宽禁带、直接带隙的II -VI族半导体材料，室温下的禁带宽度高达3 . 3 7 eV， 激子束缚能为6 0 meV，这些优点使Zn0与GaN等其他 宽...
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