技术编号：8136450
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种根据切克劳斯基法(Czochralski method,以下称为“CZ法”)来提拉单晶的单晶制造装置。背景技术近年来，为了提高太阳能电池、金属氧化物半导体(MOS (Metal Oxide Semiconductor))晶体管等的半导体组件的性能与降低制造成本，作为基板而使用的硅等 的芯片持续大直径化。因此，根据CZ法等而被培育出来的单晶棒，例如被制造成为直径 200mm(8英寸)、直径300mm(12英寸)或是更大尺寸，于是单晶棒朝向大口径化、高重量化发展。此种单晶棒例如是根据图2所示的单晶...
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