技术编号：8136949
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底。 背景技术A1N(氮化铝)晶体具有6. 2eV的宽能带隙、大约3. SWlTcnr1的高热导率和高电 阻。因此，作为用于诸如光学器件和电子器件的半导体器件的材料，诸如AlN晶体的氮化物 晶体引起了注意。例如，在日本专利特开No. 2007-197276(专利文献1)中，公开了一种制造这种氮 化物晶体的方法。在专利文献1中，通过下面的步骤来制造III-V族氮化物半导体衬底。具 体地，在具有C面或偏离角的不同类型的衬底上生长III-V族氮化物半导体膜。其后，在不 ...
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