技术编号：8137004
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明的实施例大致涉及用于在半导体基板及其类似者中蚀刻高深宽比(aspect ratio)的特征结构(feature)的真空处理腔室，以及在腔室中所使用的部件。背景技术对于更快、效力更大的集成电路(IC)组件的需求已对IC制造技术导入新的挑战， 包括在基板(例如半导体晶片)上蚀刻高深宽比的特征结构(例如沟槽(trench)或通孔 (via))的需求。举例来说，用于部分动态随机存取内存应用中的深沟槽储存结构需要将深的高深宽比沟槽蚀刻至半导体基板内。硅深沟槽蚀刻(de印silicon trench etchin...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。