技术编号：8144214
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于晶体生长领域，涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法。 背景技术微电子、光电子和信息技术等现代工业技术在以硅为代表的第一代和以砷化镓为代表的第二代半导体材料的基础上获得了迅猛发展，广泛应用于航空航天、核能、通信、国防安全等领域。同时，现代工业技术的发展对半导体材料和器件提出了更高的要求。硅和砷化镓等半导体材料受自身结构和性能的限制，不能满足高温、高频、大功率等应用的要求。 相比之下，碳化硅晶体(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优点，可以满足高温、高频、大功率...
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