技术编号：8164480
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种氮化镓晶圆。背景技术 专利文献1(特开平10-135164号公报)记载有切断硅半导体晶锭制造半导体晶圆的方法。该方法如下。将切断的硅晶圆的切断面平坦化。将平坦化后的硅晶圆用碱蚀刻，使蚀刻后的硅晶圆表面成镜面，同时用两面研磨装置研磨该背面，使在背面留下可识别背面及表面的凹凸。将两面研磨后的硅晶圆洗净。根据该半导体晶圆的制造方法，可有效地制造厚度均匀、背面对表面不造成影响、该背面具有可识别其表面及背面的凹凸的硅晶圆。专利文献2(特开2001-167993号公报)记载了由GaAs、InP、InSb、...
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