技术编号：8164547
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明描述了一种通过高温淀积由气相生长单晶的设备和方法。特别是能用于制备a)碳化硅、b)第III族-氮化物例如GaN或AlN，或者c)SiC与第III族-氮化物的合金的高质量的大块状单晶。 背景技术 宽带隙半导体单晶例如碳化硅(SiC)，第III族-氮化物例如氮化镓(GaN)和氮化铝(AlN)，具有快速切换功率设备和光电设备所需求的电学和物理性质。当前，这些宽带隙半导体和它们的合金与其它重要的半导体例如硅和砷化镓的差别在于它们不能在对实施和经济有利的条件下从熔体或液体熔液中直接生长。然而，通过过饱和蒸气流到...
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