技术编号：8195893
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种用于提拉作为半导体材料的单晶硅、作为太阳能电池(solarbattery)材料的娃晶体等的ニ氧化娃(silica)玻璃；t甘祸,尤其 涉及ー种允许提拉具有高结晶速率(crystallization rate)的单晶娃的ニ氧化娃玻璃；t甘祸和ー种用所述ニ氧化娃玻璃坩埚提拉单晶硅的方法。背景技术ニ氧化硅玻璃坩埚是用于提拉作为半导体材料的单晶硅、作为太阳能电池材料的硅晶体等。举例来说，单晶硅主要是通过如下方法来制造通过加热使装入ニ氧化硅玻璃i甘祸中的多晶娃块(polycrystalline sili...
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