技术编号：8207306
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种真空石英坩埚，适用于用下降法生长单晶体的情况，特别适用于生 长碱金属卤化物单晶体，如掺铊碘化钠，掺铊碘化铯等晶体。背景技术在真空环境下用下降法生长单晶体有很多优点，比如原料中易挥发的组分不会散发到坩 埚外造成原料的化学组分偏离，周围环境中的杂质也不会进入坩埚内污染原料，既能保证原 料的成分和纯度稳定，又不会让原料中挥发出的有毒成分污染周围环境，有利于提高单晶体 质量并保护环境。现有技术中的真空石英坩埚底部纵切面锥角为90° 120°之间的任一角 度，为了保证生长的晶体不与真空石英坩埚粘连而...
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