技术编号：8263377
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在共振器端面形成有窗构造的光半导体装置中，根据用于形成共振器端面的解理位置的不同，窗构造的长度产生波动(例如，参照专利文献I)。专利文献1日本特开2000 - 216489号公报由于窗构造的长度对光半导体装置的特性造成影响，因此，希望按照窗构造的长度而分选出光半导体装置的优劣。但是，在现有的构造中，无法简单地测定窗构造的长度。另外，窗构造的长度还对光半导体装置与光学部件的耦合效率造成影响。但是，在现有构造中，由于无法简单地测定窗构造的长度，因此，以往是在不...
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