技术编号：8283750
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。体硅深刻蚀可以制作大尺寸三维MEMS结构，是MEMS里不可或缺的技术。体硅深刻蚀可采用干法和湿法，出于成本考虑，一般都采用湿法，而湿法刻蚀主要在于图形的有效保护。体硅深刻蚀一般采用Cr、Si02、Si3N4、Si02/Si3N4，由于这些保护层需要生长甚至是去除，增加了工艺成本及方案风险。在某些特定场合，如转移工艺，传统保护措施无法保护硅片侧面及两片基底间的粘接剂，因此，目前用于体硅深刻蚀的保护方法有待进一步改进和TC 口 ο发明内容本发明旨在至少在一定程...
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