技术编号：8294027

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现代生长化合物半导体材料的方法有金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)和液相外延(LPE)等多种技术，特别MOCVD技术，是目前能够进行规模化生产化合物半导体薄膜材料最佳的方法。MOCVD外延过程中所使用最关键的基础材料是纯度大于99.9999% (>6N)的高纯金属有机化合物(简称MO源)，M0源也是CBE外延技术的支撑材料。高纯MO源是MOCVD技术的关键原材料，但是固态MO源是最难提纯的产品，采用传统的固...
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