技术编号：8298103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体，尤其涉及一种探测纳米结构表面俘获态密度的方法 及装置。背景技术 表面俘获态在纳米器件的光电特性中扮演着举足轻重的角色。理解表面俘获态将 使我们能够制造出更佳性能的器件表面，但是使用传统的电容式技术手段来描绘纳米尺度 材料的表面俘获态特性已经成为一个艰巨挑战。 高灵敏度的光线探测器在许多场合得到应用，例如光学互联和夜视。近些年来，在 表面俘获态研宄的诱导下，平面黑硅和其他纳米结构的光敏电阻已经展现了非凡的高光导 增益（和常规PN结二极管相...
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