技术编号:8320615
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在制作各种半导体器件的工序中,需要在膜层上形成各种结构或尺寸不同的微结构,可采用干法或湿法工艺进行刻蚀,形成通孔。采用湿法刻蚀时,将待刻蚀材料浸泡于腐蚀液内进行纯化学反应腐蚀,因此所有的半导体湿法刻蚀均具有各项同性,即横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度,这使得上层掩膜层的刻蚀图案与下层材料上被刻蚀出的图案存在一定的偏差,无法高质量地完成图形转移和复制的工作,因此湿法刻蚀一般常用于晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节,而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。采...
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