技术编号：8320621
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件，涉及一种半导体结构及其制备方法，特别涉及。背景技术在摩尔定律和等比例缩小的原则下，当今集成电路器件尺寸越来越小，集成电路工艺不断进化，场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的沟道长度不断减小。沟道长度不断减小，可以实现器件面积不断减小，这样相同面积的晶圆上可以生产出更多晶片，从而可以降低晶片成本。不断地提高集成电路的性能和集成密度，同时尽可能的减小集成电路的功耗。因此，制备高性能、低功耗的超短沟道器件将...
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