技术编号：8321839
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在由现有技术已知的大功率半导体装置中，通常在基板上布置有多个大功率半导体结构元件，例如大功率半导体开关和二极管并且借助基板的导电层以及焊线和/或薄膜复合层相互导电地连接。对此，大功率半导体开关通常以晶体管、例如IGBTs (InsulatedGate Bipolar Transistor)或者 MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)的形式存在。对此，布置在基板上的大功率半导体结构...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。