一种分裂栅型沟槽mosfet的制备方法技术资料下载

技术编号:8341134

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对于通常用在电力电子系统和电源管理中的半导体器件而言,功率金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor),或绝缘栅场效应晶体管,被广泛引入。沟槽型功率MOSFET是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件,它采用沟槽型栅极结构场效应管,它不仅继承了 MOS场效应管输入阻抗高(多108Ω)、驱动电流小(0.1yA左右)的优点,还具有耐压高、工作电流大、...
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