技术编号：8344089
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及用于形成磁盘装置用的磁记录介质、隧道磁电阻效应（TMR)元件等电 子器件用的氧化镁层的氧化镁基靶及其制造方法，特别是涉及具有导电性且高密度的溅射 用烧结体氧化镁基靶及其制造方法。背景技术 近年来，伴随磁盘的小型化、高记录密度化，进行了磁记录介质的研宄、开发，特 别是进行了磁性层、基底层的各种改良。硬盘的记录密度逐年急速增大，认为从目前的 600Gbit/平方英寸的面密度将来会达到1Tbit/平方英寸。记录密度达到1Tbit/平方英寸 时，记录比...
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