技术编号：8382474
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 互补金属氧化物半导体（CMO巧技术是用于制造集成电路（1C)的半导体技术。 CMOS晶体管通常利用多晶娃作为NMOS和PMOS晶体管的栅电极，其中，多晶娃渗杂有N型渗 杂剂W形成NM0S晶体管W及渗杂有P型渗杂剂W形成PM0S晶体管。发明内容 为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种半导体器件，包括金属栅极 结构，形成在绝缘层的开口中，所述金属栅极结构包括；栅极介电层；阻挡层；功函金属层， 位于所述栅极介电层和所述阻挡层之间，其中，功函金属具有有序...
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