技术编号:8396954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体,具体而言涉及。背景技术 在半导体中,对于先进的半导体技术,应力工程成为器件性能提升的最 重要的因素之一。对于PM0S,锗硅(SiGe)技术可以通过给沟道施加压应力来提高载流子迁 移率。通过调整锗硅沉积工艺,施加到沟道的压应力可以被优化到足够大。而除了锗硅沉 积工艺,用于沉积锗硅的沟槽的形貌对于应力的调整也至关重要。 具有优化的沟槽位置的2形(g卩,Sigma形)锗硅(通过2形沟槽实现),非常 有利于提高半导体器件(主要是PM0S)的性能...
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