技术编号:8397136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来薄膜太阳电池,尤其是CIGS薄膜太阳电池发展迅速。目前,CIGS薄膜太阳电池的实验室转化效率已达到20.4%,其产业化进程也被不断加快。但CIGS薄膜太阳电池吸收层中关键元素In、Ga储量有限,价格相对较高,限制了 CIGS薄膜太阳电池大规模产业化发展。CZTS (铜锌锡硫(硒),即Cu2ZnSn (S,Se) 4)薄膜与CIGS薄膜具有相似的光电特性,且CZTS薄膜以储量丰富、价格较低的Zn、Sn元素替代CIGS薄膜中的In、Ga,进一步降低了薄膜...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。