技术编号：84009
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及通过经由光致抗蚀剂掩模所定义的结构进行蚀刻、然后剥离掩模，在半导体晶片上获得某种结构的方法。 背景技术在半导体等离子体蚀刻应用中，等离子体蚀刻机通常用来把掩模图案转印为晶片上的预期薄膜和/或薄膜叠层(导体或介质绝缘体)的电路和线路图案。这通过蚀刻掉掩模图案的敞开区域中的光致抗蚀剂材料之下的薄膜(以及薄膜叠层)来获得。这种蚀刻反应可通过激励又称作反应器或处理室的真空盒中包含的反应混合物中的放电所产生的化学活性核素和带电粒子(离子)来发起。另外，离子可能还通过气体混合物与晶片材料之间建立的电场朝晶片材...
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