技术编号:8426271
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种ITO-PVD设备抽真空控制的方法。背景技术物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发,并使蒸发物质与气体均发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。此技术广泛应用于1C、LED、光伏、平板显示等领域。近几年来,由于发光二极管(LED)的巨大市场需求,GaN基LED被广泛应用于大功率照明灯、汽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。