技术编号:8432087
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 半导体器件制造过程中,在很多情况下需要刻蚀出沟槽结构,沟槽形貌的优劣、其 顶部与底部的圆滑程度决定了后续工艺中栅氧生长厚度与均匀性,然而专业沟槽刻蚀机较 少。 现有的一种沟槽刻蚀方法中,刻蚀的具体步骤包括步骤1氧化生成牺牲氧化层 以及硬掩膜,步骤2光刻并刻蚀硬掩膜,步骤3去除光刻胶然后刻蚀沟槽,步骤4去除硬掩 膜及牺牲氧化,步骤5清洗并生长栅氧。该工艺方法需要配置了 C4F8的专业刻蚀设备进行 沟槽刻蚀以保证沟槽形貌以及后续栅氧的均匀性。普通沟槽刻蚀设备...
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