技术编号：8433411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高压场效应管LDMOS在模拟电路中的电源电路设计中有着广泛的应用，其应用电压范围较高，因此LDMOS的结构同普通MOS相比较为特殊，往往根据不同的应用要求，其结构也有各式各样。往往会代入一些在普通MOS器件中看不到的特殊寄生特性。如图1所示，该图为一种特殊的圆形N型场效应管的版图结构，其圆环中心I为LDMOS的漏端，整个漂移区以漏端中心向外延伸。图中最中心的圆形区域是该器件的漏端N+杂质注入，外部的圆形区域2为该器件的漂移区，同样该区域也是由N型，并且为了...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。