技术编号:8458268
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通常,在半导体器件的制造过程中,会在半导体器件的导电层或者介质层上形成一种光刻胶图案,然后利用光刻胶作为掩模,没有覆盖光刻胶图案的部分导电层或者介质层没有被保护,会在蚀刻工艺中被去处,或者在离子注入工艺中被注入等。随着半导体器件的集成度提高,半导体器件的线宽要求越来越小,关健尺寸的控制也越来越重要,当然对刻蚀工艺的要求也越来越高。为了满足光刻的要求,除了在光刻机设备方面的不断升级换代以外,还使用其它技术来提高光刻的质量和精度,比如使用防反射层(ARC)。防...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。