技术编号：8488899
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中，磁阻随机存取存储器MRAM (Magnetic Random AccessMemory)由于具备低耗能、非挥发等特性而越来越受到业界的重视。然而，在现有技术中，如何将MRAM器件的制造工艺嵌入到标准的CMOS工艺之中，仍然没有得到很好的解决。为此，本发明提出，将磁阻随机存取存储器MRAM的制造嵌入到标准CMOS工艺之中。发明内容针对现有技术的不足，本发明提出，将MRAM的制造嵌入到标准CMOS工艺之中，可以降低工艺难度，并改善磁隧道结(MTJ)...
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