技术编号：8502137
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统内存DRAM的工艺十分成熟，可靠性也很稳定。但随着工艺制程的降低，DRAM将面临可扩展性难题。相比DRAM而言，新型非易失存储器件的优势明显，以PCM为代表的新型非易失存储器件具有良好的可扩展性，其理论最小的特征尺寸为5?8nm，比DRAM小很多，且具有较低的静态功耗；但是其读写延迟特别是写延迟较大，写入次数有限。当前的内存系统组织结构是专为易失的、读与差异小、不存在寿命冋题的DRAM而设计的，但是这种系统组织结构对于新型非易失存储器而言是不适用的。当...
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