技术编号：8513681
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。因为诸如氮化镓(GaN)的氮化物半导体具有大于硅(Si)的带隙并具有大的临界电场，因此能够实现高击穿电压以及低损耗功率器件。但是这种功率器件是常开型，因此在研宄为器件提供常闭特性的栅结构。例如，专利文献I (日本未审专利申请公布N0.2009-9993)公开了一种半导体器件，在其硅pin 二极管上具有采用AlGaN/GaN异质结结构的HEFT。这种半导体器件的源电极通过贯穿阻挡层，沟道层以及缓冲层并到达P型硅层的沟槽耦合至P型硅层。专利文献2 (日本未审专...
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