技术编号：85310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明总体涉及一种。更明确而言，本公开涉及一种包含在一个栅极线图案的表面上形成一层涂布膜及在其上形成一个用于离子注入的光致抗蚀剂掩模图案以稳定地实施后续离子注入处理的方法，该层涂层膜具有比光致抗蚀剂的界面张力(interfacial tension)低的界面张力。 背景技术随着存储器元件的应用领域扩展，半导体元件的制造技术已经被急迫要求制造一种具有改进的整体性且不降低电气特性的高容量的存储器元件。因此，形成布线及绝缘膜的改进光刻工艺、单元结构及材料的物理特性限制的多方研究已经被实现。 同时，离子注入工艺必...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。