技术编号：8539581
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。硅通孔(TSV)互连技术广泛地用于三维叠层封装、MEMS封装等工艺中。在TSV工艺中，为实现较高的刻蚀选择比和刻蚀速率，一般采用远程高密度等离子体(Remote HighDensity Plasma,以下简称为Remote HDP)源，即基片位于等离子体的下游,且与产生等离子体的线圈之间的距离较大，这样使基片所在区域的自由基的浓度高，离子密度低，从而可以减少离子轰击导致的掩膜层的损失，实现同时兼顾刻蚀速率和刻蚀选择比的目的。图1为现有的反应腔室的示意图。如...
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