技术编号：8581873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。II1-V族化合物半导体材料广泛应用在发光领域，GaN已经被认定是制作高效发光二极管的最佳材料之一。随着半导体照明产业的快速发展，高光效LED芯片需求持续增长，进一步提高GaN-LED的发光效率仍然是科学界研究的热点问题。在众多的增强LED发光效率的方法中，利用表面等离子体激元耦合提高发光器件发光效率是增强器件发光的有效途径。表面等离子体激元，是在金属与介质交界面振荡的一种电磁波，能够在金属表面形成强烈的局域场。在LED器件中，当表面等离子体激元与GaN光...
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