技术编号：8596300
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 目前制作具有软恢复特性的快恢复二极管，其有源区一般为整体肖特基结构或 PIN结构。 由于PIN二极管比肖特基二极管具有更高的击穿电压和更强的ESD能力，更适合 于工业电路的应用。 虽然PIN二极管具有通态压降小，击穿电压高，雪崩耐量UIS能力好，抗静电放电 ESD能力强以及高温漏电小的优点。但PIN二极管器件为双极器件，由于电导调制效应，当 反向恢复时间长，为了提高恢复速度，采用较薄的基区，以做到降低正向压降，同时缩短恢 复时间。但是这样因提供恢复的拖尾...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。